配置参数：
电子束： 0.6 nm@2 kV～15 kV，0.7 nm@1 kV
离子束：分辨率2.5 nm@30 kV，加速电压0.5 kV～30 kV，束流≤65nA
能谱仪：Si漂移探测器有效面积70 mm2，Mn Ka分辨率优于127 eV
气体源：W、C气体源
机械手: 移动精度优于100 nm
样品台：五轴优中心高精度马达台，6英寸晶圆基座

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